به سایت ما خوش آمدید . امیدوارم لحظات خوشی را درسایت ما سپری نمایید .

خوش آمدید

هر گونه نظر و پیشنهاد و انتقادی داشتید، در قسمت نظرات اعلام کنید.

يك شركت تحقيقاتي تايواني اعلام كرد كه از اين پس RRAM يا رم‌هاي مقاومتي مي‌توانند به عنوان يك تراشه حافظه‌اي جايگزين براي DRAM و حافظه‌هاي فلش ناند مورد استفاده قرار گيرند.

 حافظه‌هاي DRAM مهم‌ترين حافظه‌هايي هستند كه طي دهه‌هاي گذشته در رايانه‌ها مورد استفاده قرار گرفته‌اند و به دليل توانايي در اجراي اطلاعات با سرعت بالا، از ارزش زيادي برخوردارند.
حافظه‌هاي فلش ناند نيز از فناوري‌هاي جديد محسوب مي‌شوند كه بازار آن با سرعت قابل‌ملاحظه‌اي رشد كرده است، زيرا اين امكان را به وجود آورده‌اند تا حجم زيادي از فايل‌هاي صوتي، عكس و ديگر اطلاعات در رايانه لوحي آي‌پد، دستگاه‌ چندرسانه‌اي قابل‌حمل آي‌پاد، گوشي آيفون، دوربين‌هاي ديجيتالي و ديگر محصولات ذخيره شود.
محققان موسسه تحقيقات فناوري تايوان(ITRI) بر اين باورند كه RRAM توانايي كامل خود را به اثبات رسانده و مي‌تواند طي سال‌هاي آتي به صورت گسترده وارد بازار شود.
"تساي مينگ-جين " مدير تحقيقات مركز فناوري نانوالكترونيك در موسسه ITRI توضيح داد: ما هنوز در مراحل نخست توسعه اين فناوري به‌سر مي‌بريم. ما هم‌اكنون نمي‌توانيم به حافظه‌هاي DRAM اعتماد كامل داشته باشيم.
تاكنون بيشتر فعاليت‌هاي تحقيقاتي مبتكرانه روي تراشه‌هاي حافظه بر DRAM و حافظه‌هاي فلش ناند تمركز داشته است، زيرا اين دو محصول توانسته‌اند به صورت گسترده بازار را در اختيار بگيرند. بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوي مركز iSuppli، ارزش بازار جهاني DRAM در سال گذشته به‌تنهايي 24 ميليارد دلار اعلام شد.
بايد توجه داشت كه به‌طور معمول بيشتر تلاش‌ها براي بيرون كردن اين دو حافظه از بازار تاكنون با شكست مواجه شده است. براي مثال، حافظه‌هاي PRAM يا (Phase-change memory) يكي از بخش‌ها در دنياي تراشه‌هاي حافظه‌اي محسوب مي‌شوند كه مركز ITRI قصد دارد در سال جاري ميلادي تمركز خود را بر آن‌ها كاهش دهد و ديگر براي توسعه و توليد آن تلاش نكند.
 
ادامه مطلب
دوشنبه 20 اردیبهشت 1389  - 7:11 PM

جستجو

آمار سایت

کل بازدید : 5871144
تعداد کل پست ها : 30564
تعداد کل نظرات : 1029
تاریخ ایجاد بلاگ : پنج شنبه 19 شهریور 1388 
آخرین بروز رسانی : دوشنبه 19 آذر 1397 

نویسندگان

ابوالفضل اقایی